محققان دانشگاه "روچستر" به روش جديدي براي طراحي پردازندههاي رايانهاي دست يافتهاند كه ميتواند توليد تراشههاي بسيار سريع با سرعتهاي محاسباتي برابر با ۳هرازگيگاهرتز يا به عبارتي ۳تراهرتز را ممكن كند.
به گزارش سايت اينترنتي "تك وب"، "مارك فلدمن" پروفسور مهندسي رايانه اين دانشگاه اعلام كرد فنآوري جديد موسوم به "بلستيك ديفلكشن ترنزيستور" يا "بيديتي" ميتواند مانع از توقف روند كوچكتر شدن ترانزيستورها به علت محدوديتهاي فيزيكي شود زيرا ترانزيستورهاي توليد شده با اين فنآوري برخلاف ترانزيستورهاي مرسوم مورد استفاده در پردازندههاي فعلي، فاقد "لايه ظرفيت خازني" هستند. وجود اين بخش در ترانزيستورهاي فعلي يكي از مهمترين موانع كوچكتر كردن هرچه بيشتر آنهاست.
در فنآوري ابداع شده توسط محققان اين دانشگاه از يك لايه از مواد نيمههادي موسوم به "۲دي گاز الكترون" استفاده شده كه انتقال الكترونها را درون ترانزيستور تسهيل ميكند.
به گفته "فلدمن"، انرژي هدر رفته به شكل گرما در ترانزيستورهاي توليد شده با فنآوري جديد در حدود چند مايكرووات براي هر ترانزيستور است كه اين ميزان بسيار كمتر از ترانزيستورهاي فعلي ست.
هر چند ايده توليد پردازندههايي بر اساس فنآوري "بيديتي" هنوز تنها به صورت نظري مطرح شده و به مرحله عمل نرسيدهاست، برخي كارشناسان اين فنآوري را مرحله بعدي تكامل تراشهها پس از توليد به ترتيب "رله"، "لامپهاي خلاء"، و "نيمههادي"ها ميدانند.
بنياد ملي علوم آمريكا هماكنون مبلغ ۱/۱ميليون دلار براي ساخت نمونه اوليه تراشههاي "بيديتي" در اختيار دانشگاه "روچستر" قرار دادهاست.